（原標題：TI發力GaN，產能增四倍）

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德州儀器（TI）當天曉喻已開動在日本會津的工場坐蓐氮化鎵（GaN）功率半導體。跟著會津廠干涉坐蓐，加上位于德州達拉斯的現存GaN制猖獗業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可加多至四倍之多。

TI 的時候與制造資深副總裁Mohammad Yunus暗意：「以跳動十年的GaN芯片野心與制造專科常識，咱們已得勝考證8吋GaN時候，并在會津張開量產；這是現今推行性最高且最具老本競爭力的GaN制造時候。這個里程碑使咱們領有更多的GaN芯片自有產能，并在2030 年前將里面制造的比率培植至95%以上，同期也讓咱們可從多個TI據點進行采購，確保整個高功率、節能半導體GaN居品組合的可靠供應。」

GaN作念為硅的替代決策，這款半導體材料可在好多畛域中提供上風，包括節能、開關速率、電源管理決策尺寸與分量、舉座系統老本，以及在高溫與高壓要求下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也便是在更小的空間提供更多功率，使其能應用于札記型電腦或當作電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。

TI暗意，咫尺TI已提供最平庸的整合式GaN功率半導體居品組合，從低電壓到高電壓皆包含在內，借此罷了最為節能、可靠且具高功率密度的電子居品。

TI 的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian暗意：「行使GaN，TI就能更有后果地在工整的空間中提供更高效的功率，這亦然激動咱們浩蕩客戶翻新的主要市集需求。諸如伺服器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的野心師正面對必須要減少功耗并培植動力后果的挑戰，他們關于TI高性能GaN芯片可靠供應的需求也絕難一見。TI的整合式GaN功率級居品組合讓客戶可罷了更高的功率密度、培植易用性，并裁減系統老本。」

此外，憑借TI的專利硅基氮化鎵制程、經由跳動8000 萬小時的可靠性測試，并具備整合式保護功能，TI的GaN芯片能確保高電壓系統安全無虞。

TI強調，新產能使用現今市面上起首進的建樹來制造GaN芯片，因此可培植居品質能與制程后果，同期還能提供老本上風。加多GaN制造畛域的性能上風使其可將GaN芯片培植至較高的電壓，從900伏特開動，跟著時候推移加多至更高的電壓，借此進一步激動機器東說念主、再活潑力和伺服器電源等應用的動力后果與尺寸翻新。

此外，TI的擴大投資包含于本年稍早在12吋晶圓上得勝進行GaN制造的試行功課。 TI握續擴大的GaN制程時候不錯富余改換至12吋晶圓上，讓其能隨時闡明客戶需求進行診療，并在曩昔移轉至透過12吋時候進行坐蓐。

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